Determination of the Boron and Phosphorus Ionization Energies in Compensated Silicon by Temperature-Dependent Luminescence
Determination of the Boron and Phosphorus Ionization Energies in Compensated Silicon by Temperature-Dependent Luminescence
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通过温度依赖性发光测定补偿硅中硼和磷的电离能
DOI：
10.1007/s12633-014-9193-3
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发表时间：
2017-03
期刊：
影响因子：
3.4
通讯作者：
Duanlin Que
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Deren Yang;Xuegong Yu;Luelue Xiang;Duanlin Que
补偿硅中硼和磷电离能的测定对于评估掺杂剂的电离水平及其相互之间的相互作用非常重要。在本文中，我们首次通过温度依赖性发光获得了补偿硅中硼和磷的电离能。结果表明，重补偿硅中的硼和磷电离能与非补偿硅中的硼和磷电离能具有相同的值。这强烈表明浓度≤ 1017cm−3 的硼和磷杂质应充当孤立的受体和施主，但不会在硅中形成络合物。
The determination of boron and phosphorus ionization energies in compensated silicon is very important for assessing the ionization level of dopants and their interaction with each other. In this paper, we achieved the boron and phosphorus ionization energies in compensated silicon by temperature-dependent luminescence for the first time. The results show that the boron and phosphorus ionization energies in heavily-compensated silicon have the same values as those in non-compensated silicon. This strongly suggests that both boron and phosphorus impurities with a concentration of ≤ 1017cm−3should act as isolated acceptors and donors, but do not form complexes in silicon.
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