Room-temperature Operation of Current Switching Circuit Using Integrated Sillcon Single-Hole Transistors
Room-temperature Operation of Current Switching Circuit Using Integrated Sillcon Single-Hole Transistors
复制标题
使用集成硅单孔晶体管的电流开关电路的室温操作
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshihiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masumi Saitoh;Hidehiro Harata;Toshihiro Hiramoto
0.25 /spl mu/m 低功耗 CMOS 器件和电路，采用 8 英寸 SOI 材料
DOI：
10.1109/icsict.1995.500080
发表时间：
1995
期刊：
Proceedings of 4th International Conference on Solid-State and IC Technology
影响因子：
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作者：
B. Chen;A.S. Yapsir;S. Wu;R. Schulz;D. Yee;D. Sadana;H. Hovel;T. Ning;G. Shahidi;B. Davari
通讯作者：
B. Davari
对“MOS集成电路的优化输出级”的评论[附回复]
影响因子：
5.4
作者：
R. Jaeger;L. W. Linholm
通讯作者：
L. W. Linholm
碳化硅功率器件的系统影响
DOI：
10.1142/s0129156402001368
发表时间：
2002
影响因子：
--
作者：
B. Ozpineci;L. Tolbert;S. Islam;M. Hasanuzzaman
通讯作者：
M. Hasanuzzaman