University of Vermont(米国)
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佛蒙特大学（美国）
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离子溅射GaAs(1 0 0)表面形貌的演变
DOI：
10.1016/s0168-583x(02)00860-1
发表时间：
2002
影响因子：
1.3
作者：
D. Datta;S. Bhattacharyya;T. K. Chini;M. Sanyal
通讯作者：
M. Sanyal
影响因子：
3.7
作者：
L. Pedemonte;G. Bracco;C. Boragno;F. Mongeot;U. Valbusa
通讯作者：
L. Pedemonte;G. Bracco;C. Boragno;F. Mongeot;U. Valbusa
GaAs 和其他 III-V 半导体的 O2+ 诱导形貌的定量研究：通过样品旋转对波纹形成和二次离子产额变化抑制的 STM 研究
影响因子：
1.7
作者：
A. Karen;Y. Nakagawa;M. Hatada;K. Okuno;F. Soeda;A. Ishitani
通讯作者：
A. Ishitani
DOI：
10.1016/0168-583x(96)00175-9
发表时间：
1996-07-01
影响因子：
1.3
作者：
Hobler, G
通讯作者：
Hobler, G
纳米结构 Co/Cu(001) 中的单轴磁各向异性：从表面波纹到纳米线。
影响因子：
8.6
作者：
R. Moroni;D. Sekiba;F. Buatier de Mongeot;G. Gonella;C. Boragno;L. Mattera;U. Valbusa
通讯作者：
U. Valbusa