Cylindroid rigid-wall simulation of the influence of gas pressure in pulsed laser deposition of LiNbO3 films
Cylindroid rigid-wall simulation of the influence of gas pressure in pulsed laser deposition of LiNbO3 films
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圆柱刚性壁模拟脉冲激光沉积 LiNbO3 薄膜中气压的影响
DOI：
10.1063/1.1540217
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发表时间：
2003-01
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. R. Shen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. Yang;X. L. Wu*;Z. Y Zhang;G. G. Siu;Z. G. Dong;L. Fang;M. R. Shen
我们已经证明，气体压力（PG）是一个关键参数，在激光烧蚀过程中制备化学计量比的铌酸锂薄膜。为了从理论上描述pG的影响，提出了一个圆柱刚性壁模型。结果表明，存在两个与Li和Nb有关的临界压力：pLi和pNb（pLi<pNb）。他们把pG分成三个区间。当pG<pLi时，pG对薄膜的化学计量比影响不大，薄膜中含有固定的Li缺陷。当pLi = pG = pNb时，pG在形成化学计量比薄膜中起重要作用。当pG> pNb时，pG的变化不影响薄膜的化学计量比，但由于到达衬底的物种能量大大降低，影响薄膜的生长。理论计算与实验结果吻合较好。该模型为脉冲激光沉积多组分薄膜提供了一种有效的方法。
We have demonstrated that gas pressure (pG) is a key parameter for fabricating stoichiometric LiNbO3 thin films during laser ablation. To theoretically describe the influence of pG, a cylindroid rigid-wall model was presented. It was shown that there exist two critical pressures related to Li and Nb: pLi and pNb(pLi<pNb). They separate pG into three intervals. When pG<pLi, pG has little influence on film stoichiometry and the obtained films contain fixed Li deficiency. When pLi⩽pG⩽pNb, pG plays an important role in forming stoichiometric films. When pG⩾pNb, the change of pG does not affect film stoichiometry, but the film growth because of greatly reduced energies of the species that reach the substrate. The presented theory was in good agreement with experiments. This model provides a useful way for growing multicomponent films by pulsed laser deposition.
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影响因子：
4
作者：
Y. Shibata;K. Kaya;Kageyasu Akashi;M. Kanai;T. Kawai;S. Kawai
通讯作者：
Y. Shibata;K. Kaya;Kageyasu Akashi;M. Kanai;T. Kawai;S. Kawai
DOI：
10.1007/978-3-642-71907-3
发表时间：
1987-07
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
P. Günter
通讯作者：
P. Günter
影响因子：
3.2
作者：
J. A. Chaos;V. Pruneri;J. Gonzalo;C. Afonso
通讯作者：
J. A. Chaos;V. Pruneri;J. Gonzalo;C. Afonso
DOI：
10.1117/12.312675
发表时间：
1998-07
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
O. Iancu;D. Pircalaboiu
通讯作者：
O. Iancu;D. Pircalaboiu
影响因子：
4
作者：
D. Fork;G. B. Anderson
通讯作者：
D. Fork;G. B. Anderson