Strongly localized exciton luminescence in Cr doped GaN
Strongly localized exciton luminescence in Cr doped GaN
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Cr 掺杂 GaN 中的强局域激子发光
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Asahi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Shanthi;M.Hashimoto;Y.K.Zhou;S.Kimura;S.Emura;S.Hasegawa;N.Hasuike;H.Harima;H.Asahi
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(Ga,Mn)N 分子束外延
影响因子：
1.8
作者：
T. Kondo;S. Kuwabara;H. Ôwa;H. Munekata
通讯作者：
H. Munekata
DOI：
10.1088/0022-3719/15/2/020
发表时间：
1982-01-01
期刊：
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS
影响因子：
--
作者：
DAI, R;FU, S;KLINGSHIRN, C
通讯作者：
KLINGSHIRN, C
拉曼光谱定量测定立方氮化镓中的六方少数相
影响因子：
2.1
作者：
H. Siegle;L. Eckey;A. Hoffmann;C. Thomsen;B. Meyer;D. Schikora;M. Hankeln;K. Lischka
通讯作者：
K. Lischka
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影响因子：
3.7
作者：
Z. Bandic;T. C. Mcgill;Z. Ikonić
通讯作者：
Z. Ikonić
GaN的发光特性
DOI：
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发表时间：
1970
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Pankove;J. E. Berkeyheiser;H. Maruska;J. Wittke
通讯作者：
J. Wittke