Evolution of Ge and SiGe Quantum Dots under Excimer Laser Annealing
Evolution of Ge and SiGe Quantum Dots under Excimer Laser Annealing
复制标题
准分子激光退火下 Ge 和 SiGe 量子点的演化
DOI：
10.1088/0256-307x/25/1/066
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发表时间：
2008
影响因子：
3.5
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
研究了准分子激光退火条件下Ge和SiGe量子点的不同弛豫机制。对点的粗化和弛豫研究表明，由于Ge薄膜上的Ge点与Ge层之间没有界面，因此Ge点的应变由于位错而松弛，而Si0.77Ge0.23薄膜上的SiGe点由于与Si0.77Ge0.23薄膜之间存在明显的界面，因此SiGe点的应变由于晶格畸变而松弛为相干点。这些结果得到了Vanderbilt和Wickham理论的支持，也证明了准分子激光退火过程中没有发生体扩散。
We present different relaxation mechanisms of Ge and SiGe quantum dots under excimer laser annealing. Investigation of the coarsening and relaxation of the dots shows that the strain in Ge dots on Ge films is relaxed by dislocation since there is no interface between the Ge dots and the Ge layer, while the SiGe dots on Si0.77Ge0.23 film relax by lattice distortion to coherent dots, which results from the obvious interface between the SiGe dots and the Si0.77Ge0.23 film. The results are suggested and sustained by Vanderbilt and Wickham's theory, and also demonstrate that no bulk diffusion occurs during the excimer laser annealing.
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影响因子：
4
作者：
N. Misra;Li Xu;Y. Pan;N. Cheung;C. Grigoropoulos
通讯作者：
N. Misra;Li Xu;Y. Pan;N. Cheung;C. Grigoropoulos
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作者：
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通讯作者：
Li Huang;Feng Liu;G. Lu;X. Gong
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J. Tersoff;F. Legoues
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P. Sutter;I. Schick;W. Ernst;E. Sutter