Impact of a few dopant positions controlled by single-ion implantation on transconductance of FETs
Impact of a few dopant positions controlled by single-ion implantation on transconductance of FETs
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单离子注入控制的几种掺杂位置对 FET 跨导的影响
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Hori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.T.Dao;H.Sakai;T.Matsushima;H.Murata;陳海立・牧紀男・林春男;大島拓;M.Hori
使用 3D MC 模拟离散杂质对超短 MOSFET 中电子传输的影响
影响因子：
3.1
作者：
P. Dollfus;A. Bournel;S. Galdin;Sylvain Barraud;P. Hesto
通讯作者：
P. Hesto
通过掺杂原子的逐一离子注入减少半导体电导率的波动
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Shinada;Atsuki Ishikawa;Chie Hinoshita;M. Koh;I. Ohdomari
通讯作者：
I. Ohdomari