Effect of annealing conditions on the perpendicular magnetic anisotropy of Ta/CoFeB/MgO multilayers
Effect of annealing conditions on the perpendicular magnetic anisotropy of Ta/CoFeB/MgO multilayers
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退火条件对Ta/CoFeB/MgO多层膜垂直磁各向异性的影响
DOI：
10.1063/1.4947132
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发表时间：
2016-04
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Cao Jiangwei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu Yan;Hao Liang;Cao Jiangwei
采用磁控溅射法在康宁玻璃衬底上制备了Ta(5 Nm)/Co20Fe60B20(0.8-1.5 nm)/MgO(1 Nm)/Ta(1 Nm)薄膜。CoFeB层厚度为0.8~1.3 nm的薄膜具有垂直磁各向异性
Films with a structure of Ta (5 nm)/Co20Fe60B20 (0.8–1.5 nm)/MgO (1 nm)/Ta (1 nm) were deposited on Corning glass substrates by magnetron sputtering. The as-deposited films with CoFeB layer thickness from 0.8 to 1.3 nm show perpendicular magnetic anisotro
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