Spatial fluctuation enhancement and nonradiative-recombination-center generation due to high Si-doping into GaAs/AlAs short-period-superlattices
Spatial fluctuation enhancement and nonradiative-recombination-center generation due to high Si-doping into GaAs/AlAs short-period-superlattices
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GaAs/AlAs 短周期超晶格中高硅掺杂导致空间涨落增强和非辐射复合中心生成
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Sugimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Kobori;A.Shigetani;I.Umezu;A.Sugimura
激子光致发光表征超短周期 GaAs/AlAs 超晶格
DOI：
10.1016/s0928-4931(01)00442-8
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
V. Litovchenko;D. Korbutyak;S. Krylyuk;Y. Kryuchenko
通讯作者：
Y. Kryuchenko
半导体纳米结构中的激子输运和非辐射衰变
DOI：
10.1103/physrevb.58.10687
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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作者：
I. Krivorotov;T. Chang;G. D. Gilliland;L. P. Fu;K. Bajaj;D. J. Wolford
通讯作者：
D. J. Wolford
II 型 GaAs/AlAs 超晶格中 I 型到 II 型交叉附近的发光动力学。
DOI：
10.1103/physrevb.54.14589
发表时间：
1996
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
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作者：
Langbein;Kalt;Hvam
通讯作者：
Hvam