Strain-balanced InGaAs/AlInAs/InP quantum cascade laser grown on GaAs by MOVPE
Strain-balanced InGaAs/AlInAs/InP quantum cascade laser grown on GaAs by MOVPE
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通过 MOVPE 在 GaAs 上生长的应变平衡 InGaAs/AlInAs/InP 量子级联激光器
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2023.127310
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发表时间：
2023
影响因子：
1.8
通讯作者：
Mawst, Luke
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu, Shining;Zhang, Shuqi;Gao, Huilong;Kirch, Jeremy;Botez, Dan;Mawst, Luke
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影响因子：
2.4
作者：
Mawst, Luke J.;Botez, Dan
通讯作者：
Botez, Dan
混合 III-V 族外延层中 CuPt 型有序化的机制
影响因子：
1.8
作者：
B. Philips;A. Norman;T. Seong;S. Mahajan;G. Booker;M. Skowronski;J. Harbison;V. Keramidas
通讯作者：
V. Keramidas
在硅上生长的高功率中红外量子级联激光器
影响因子：
2.4
作者：
S. Slivken;N. Shrestha;M. Razeghi
通讯作者：
M. Razeghi
影响因子：
3.8
作者：
Go, Rowel;Krysiak, H.;Lyakh, Arkadiy
通讯作者：
Lyakh, Arkadiy
Si 衬底上的对称应变 Si/Ge 超晶格。
DOI：
10.1103/physrevb.38.3599
发表时间：
1988
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Erich Kasper;H. Kibbel;H. Jorke;H. Brugger;E. Frieß;G. Abstreiter
通讯作者：
G. Abstreiter