Dislocation core structures in (0001) InGaN
Dislocation core structures in (0001) InGaN
复制标题
(0001) InGaN 中的位错核心结构
DOI：
10.1063/1.4942847
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发表时间：
2016
影响因子：
3.2
通讯作者：
Rhode S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rhode S
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影响因子：
10.8
作者：
Horton, Matthew K.;Rhode, Sneha;Moram, Michelle A.
通讯作者：
Moram, Michelle A.
DOI：
10.1016/s0921-5107(00)00754-6
发表时间：
2001
影响因子：
3.6
作者：
Jun Chen;P. Ruterana;G. Nouet
通讯作者：
G. Nouet
纤锌矿 GaN 中 (a c) 混合位错核的原子建模
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Belabbas;A. Béré;Jun Chen;S. Petit;M. Belkhir;P. Ruterana;G. Nouet
通讯作者：
G. Nouet
影响因子：
3.7
作者：
Mouti, Anas;Rouviere, Jean-Luc;Stadelmann, Pierre
通讯作者：
Stadelmann, Pierre
GaN 中 [a + c] 位错的解离
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Hirsch;J. Lozano;S. Rhode;Matthew K. Horton;M. Moram;Siyuan Zhang;M. Kappers;C. Humphreys;A. Yasuhara;E. Okunishi;P. Nellist
通讯作者：
P. Nellist