Implantation profiles of muon and secondary positron simulated by Geant4
Implantation profiles of muon and secondary positron simulated by Geant4
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Geant4模拟的μ子和次级正电子的注入剖面
DOI：
10.1088/1402-4896/ac1dc8
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
2.9
通讯作者：
Long Wei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chong Li;Xingzhong Cao;Peng Kuang;Fuyan Liu;Yukai Chen;Yang Li;Long Wei
μ子束流和次级正电子的分布可以为加速器μ子透射成像技术的应用提供重要的参考数据。在这项研究中，使用Geant 4模拟了μ子束和次级正电子在生物组织，半导体和金属中的分布。μ子束在介质中具有极高的深度分辨率（FWHM为1.68 ~ 11.83 cm）和穿透能力（平均深度为18.03 ~ 198.97 cm）。根据模拟数据，设计了一个快速计算不同能量μ子束在不同材料中的经验公式。此外，二次正电子分布的200 MeV μ子束集中在其衰变位置，并覆盖了8.50厘米半径的区域在铁。正电子的数量远高于初级μ子，特别是在高密度材料中。作为这两个方面的结果，μ子和次级正电子的组合信号处理提供了改善μ子成像的潜力。
The distribution of muon beams and secondary positrons can be vital reference data for the application of the accelerator muon transmission imaging technique. In this study, the distribution of muon beams and secondary positrons in biological tissue, semiconductors, and metals was simulated using Geant4. The muon beam showed an extremely concentrated decay area, which presented quite high depth resolution (FWHM ranging from 1.68 cm to 11.83 cm) and great penetrability (mean depth ranging from 18.03 cm to 198.97 cm) in media. Based on the simulation data, an empirical equation was designed for the quick calculation of muon beams with different energies in various materials. Additionally, the secondary positrons distribution of a 200 MeV muon beam centered on its decay position and covered an 8.50 cm radius area in Fe. The number of positrons was much higher than that of primary muons, especially in high-density materials. As a consequence of these two aspects, the combined signal processing of muons and secondary positrons provides the potential to improve muon imaging.
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DOI：
10.2172/1253948
发表时间：
2016-03
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
L. Tsoukalas
通讯作者：
L. Tsoukalas
DOI：
10.1016/j.nima.2008.11.106
发表时间：
2009-02
影响因子：
1.4
作者：
K. Nakahara;Y. Miyake;K. Shimomura;P. Strasser;K. Nishiyama;N. Kawamura;H. Fujimori;S. Makimura;A. Koda;K. Nagamine;T. Ogitsu;A. Yamamoto;T. Adachi;K. Sasaki;Kazushi Tanaka;N. Kimura;Y. Makida;Y. Ajima;K. Ishida;Y. Matsuda
通讯作者：
K. Nakahara;Y. Miyake;K. Shimomura;P. Strasser;K. Nishiyama;N. Kawamura;H. Fujimori;S. Makimura;A. Koda;K. Nagamine;T. Ogitsu;A. Yamamoto;T. Adachi;K. Sasaki;Kazushi Tanaka;N. Kimura;Y. Makida;Y. Ajima;K. Ishida;Y. Matsuda
影响因子：
3.6
作者：
唐靖宇;傅世年;敬罕涛;唐洪庆;韦杰;夏海鸿
通讯作者：
唐靖宇;傅世年;敬罕涛;唐洪庆;韦杰;夏海鸿
DOI：
10.1063/1.5126529
发表时间：
2020-02
期刊：
The Review of scientific instruments
影响因子：
--
作者：
A. F. A. Simões-A.-F.-A.-Simões-2053970349;H. Alberto;R. Vilão;J. Gil;José M. V. Cunha;M. Curado;P. Salomé;T. Prokscha;Andreas Suter;Zaher Salman
通讯作者：
A. F. A. Simões-A.-F.-A.-Simões-2053970349;H. Alberto;R. Vilão;J. Gil;José M. V. Cunha;M. Curado;P. Salomé;T. Prokscha;Andreas Suter;Zaher Salman
DOI：
10.1016/s0168-583x(01)01166-1
发表时间：
2002-05-01
影响因子：
1.3
作者：
Morenzoni, E;Glücker, H;Pleines, M
通讯作者：
Pleines, M