Depth profiling of surface damage in n-type GaN induced by inductively coupled plasma reactive ion etching using photo-electrochemical techniques
Depth profiling of surface damage in n-type GaN induced by inductively coupled plasma reactive ion etching using photo-electrochemical techniques
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使用光电化学技术对感应耦合等离子体反应离子蚀刻引起的 n 型 GaN 表面损伤进行深度分析
DOI：
10.35848/1882-0786/abb787
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发表时间：
2020
影响因子：
2.3
通讯作者：
Sato Taketomo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yamada Shinji;Takeda Kentaro;Toguchi Masachika;Sakurai Hideki;Nakamura Toshiyuki;Suda Jun;Kachi Tetsu;Sato Taketomo
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--
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