Synthesis of large-scale few-layer PtS2 films by chemical vapor deposition
Synthesis of large-scale few-layer PtS2 films by chemical vapor deposition
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化学气相沉积法合成大面积少层 PtS2 薄膜
DOI：
10.1063/1.5086447
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发表时间：
2019-02
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Zhang David Wei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhao Donghui;Xie Sheng;Wang Yang;Zhu Hao;Chen Lin;Sun Qingqing;Zhang David Wei
PtS2是第10族过渡金属二硫属化物，具有显著的层依赖能带结构，并且可以在室温下实现极高的声子限制迁移率。本文对PtS2的电子能带结构进行了理论研究
PtS2, a group-10 transition metal dichalcogenide, has prominent layer-depended band structure, and can enable extremely high phonon-limited mobility at room temperature. Here, we demonstrate the theoretical study on the electronic band structures of PtS2
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