Height stabilization of GaSb/GaAs quantum dots by Al-rich capping
Height stabilization of GaSb/GaAs quantum dots by Al-rich capping
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通过富铝封盖实现 GaSb/GaAs 量子点的高度稳定
DOI：
--
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Millunchick
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ep Erwin Smakman;M. Dejarld;M. Luengo;Andrew J. Martin;V. Sih;P. Koenraad;J. Millunchick
利用截面扫描隧道显微镜（X-STM）和光致发光（PL）研究了GaAs衬底中的GaSb量子点。我们观察到，富含铝的盖帽材料防止在分子束外延（MBE）生长过程的盖帽阶段的纳米结构的不稳定，从而保持量子点的高度。然而，由于不存在失稳而引起的应变导致许多结构缺陷出现在保存的量子点周围。这些缺陷起源于GaSb/GaAs界面附近的失配位错，并以堆垛层错的形式延伸到覆盖层中。在量子点光致发光的红移的缺乏表明，保留的点不有助于发射光谱。我们建议，更好地控制发射波长和PL强度的增加是可以通过生长更小的量子点与富铝的过度生长。
GaSb quantum dots (QDs) in a GaAs matrix are investigated with cross-sectional scanning tunneling microscopy (X-STM) and photoluminescence (PL). We observe that Al-rich capping materials prevent destabilization of the nanostructures during the capping stage of the molecular beam epitaxy (MBE) growth process and thus preserves the QD height. However, the strain induced by the absence of destabilization causes many structural defects to appear around the preserved QDs. These defects originate from misfit dislocations near the GaSb/GaAs interface and extend into the capping layer as stacking faults. The lack of a red shift in the QD PL suggests that the preserved dots do not contribute to the emission spectra. We suggest that a better control over the emission wavelength and an increase of the PL intensity is attainable by growing smaller QDs with an Al-rich overgrowth.
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影响因子：
4
作者：
T. Nowozin;L. Bonato;A. Högner;A. Wiengarten;D. Bimberg;Wei-Hsun Lin;Shih-Yen Lin;C. Reyner;B. Liang;D. Huffaker
通讯作者：
T. Nowozin;L. Bonato;A. Högner;A. Wiengarten;D. Bimberg;Wei-Hsun Lin;Shih-Yen Lin;C. Reyner;B. Liang;D. Huffaker
影响因子：
4
作者：
Ep Erwin Smakman;J. Garleff;R. Young;M. Hayne;P. Rambabu;P. Koenraad
通讯作者：
Ep Erwin Smakman;J. Garleff;R. Young;M. Hayne;P. Rambabu;P. Koenraad
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3.7
作者：
T. Nowozin;A Marent;G. Hönig;A. Schliwa;D. Bimberg;A. Beckel;B. Marquardt;A. Lorke;M. Geller
通讯作者：
M. Geller
DOI：
10.1088/0022-3727/43/6/065402
发表时间：
2010-01
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
M. A. Kamarudin;M. Hayne;Q. Zhuang;O. Kolosov;T. Nuytten;V. Moshchalkov;F. Dinelli
通讯作者：
M. A. Kamarudin;M. Hayne;Q. Zhuang;O. Kolosov;T. Nuytten;V. Moshchalkov;F. Dinelli
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4
作者：
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