Hole-based memory operation in an InAs/GaAs quantum dot heterostructure
Hole-based memory operation in an InAs/GaAs quantum dot heterostructure
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InAs/GaAs 量子点异质结构中基于空穴的存储操作
DOI：
10.1063/1.3275758
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发表时间：
2010
影响因子：
4
通讯作者：
D. Bimberg
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Marent;T. Nowozin;J. Gelze;F. Luckert;D. Bimberg
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选区金属有机气相外延制备一维GaAs沟道耦合InAs量子点存储器件
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS 87・19
影响因子：
--
作者：
Kamon J;Yamauchi T;Muto S;Takekawa S;Ito Y;Hada Y;Ogawa W;Itai A;Kasuga M;Tobe K;Kadowaki T.;ダニエル・フット;Mohan P;Takeda J;Nataraj D
通讯作者：
Nataraj D
影响因子：
3.7
作者：
Schliwa, Andrei;Winkelnkemper, Momme;Bimberg, Dieter
通讯作者：
Bimberg, Dieter
影响因子：
4
作者：
T. Nowozin;A. Marent;M. Geller;D. Bimberg;N. Akçay;N. Öncan
通讯作者：
T. Nowozin;A. Marent;M. Geller;D. Bimberg;N. Akçay;N. Öncan
影响因子：
4
作者：
Geller, M.;Marent, A.;Oncan, N.
通讯作者：
Oncan, N.
影响因子：
4
作者：
K. Koike;K. Saitoh;Shu-wei Li;S. Sasa;M. Inoue;M. Yano
通讯作者：
K. Koike;K. Saitoh;Shu-wei Li;S. Sasa;M. Inoue;M. Yano