Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors
Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors
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硅纳米级场效应晶体管中单个受主的水平位置分析
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. A. H. Khalafalla;Y. Ono;K. Nishiguchi;A. Fujiwara
Si 中单个 Pt 原子的激发态光谱
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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作者：
L. Calvet;J. Snyder;W. Wernsdorfer
通讯作者：
W. Wernsdorfer
观察 Si 中单个受体的线性斯塔克效应。
影响因子：
8.6
作者：
L. Calvet;L. Calvet;R. G. Wheeler;M. Reed
通讯作者：
M. Reed