Generation of microdischarges in diamond substrates
Generation of microdischarges in diamond substrates
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金刚石基底中微放电的产生
DOI：
10.1088/0963-0252/21/2/022001
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发表时间：
2012
影响因子：
3.8
通讯作者：
Mitea S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mitea S
我们报道了由微晶金刚石组成的器件中微放电的产生。放电是在具有微空心阴极放电几何的器件结构中产生的。其中一种结构是在绝缘金刚石晶片的两侧涂覆一层掺硼的金刚石层。第二种结构由两侧涂有金属层的绝缘钻石晶片组成。在每种情况下，都在导体-绝缘体-导体结构中加工了一个亚毫米的孔。这些放电是在氦大气中产生的。击穿电压在500V左右，放电电流由300V的直流电压维持在0.1-2.5 mA的范围内。
We report the generation of microdischarges in devices composed of microcrystalline diamond. Discharges were generated in device structures with microhollow cathode discharge geometries. One structure consisted of an insulating diamond wafer coated with boron-doped diamond layers on both sides. A second structure consisted of an insulating diamond wafer coated with metal layers on both sides. In each case, a single sub-millimetre hole was machined through the conductor–insulator–conductor structure. The discharges were generated in a helium atmosphere. Breakdown voltages were around 500 V and discharge currents in the range 0.1–2.5 mA were maintained by a sustaining dc voltage of 300 V.
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