Nb/n-InGaAs/p-InP超伝導発光ダイオードの発光特性
Nb/n-InGaAs/p-InP超伝導発光ダイオードの発光特性
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Nb/n-InGaAs/p-InP超导发光二极管的发射特性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
末宗 幾夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
林 雄二郎;田中 和典;赤崎 達志;定 昌史;熊野 英和;末宗 幾夫
脉冲分子束法 MBE 生长 InGaAlAs 晶格匹配 InP
DOI：
10.1143/jjap.25.l254
发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Fujii;Y. Nakata;Y. Sugiyama;S. Hiyamizu
通讯作者：
S. Hiyamizu
受控低势垒高度 n+-InGaAs/n-GaAs 赝晶异质结肖特基二极管
DOI：
10.1063/1.95747
发表时间：
1985
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Kleinsasser;J. Woodall;G. Pettit;T. Jackson;J. Y. Tang;P. Kirchner
通讯作者：
P. Kirchner