Scaling of High‐Performance Organic Permeable Base Transistors
Scaling of High‐Performance Organic Permeable Base Transistors
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高性能有机渗透基极晶体管的缩放
DOI：
10.1002/aelm.201800728
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发表时间：
2018
影响因子：
6.2
通讯作者：
Lüssem, Björn
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Al‐Shadeedi, Akram;Liu, Shiyi;Kaphle, Vikash;Keum, Chang‐Min;Lüssem, Björn
有机可渗透基区晶体管(OPBT)显示出在高速、柔性电子设备方面的潜力。讨论了OPBT的定标规律，结果表明，减小OPBT的有效器件面积可以提高OPBT的性能。将优化后的OPBT与最先进的有机场效应晶体管(OFET)的性能进行了比较，结果表明OPBT具有更高的跃迁频率潜力。OPBT不仅在不需要复杂的结构技术的情况下达到更高的跨导值，而且对寄生接触电阻也不那么敏感。在2D数值模型的帮助下，OPBT的接触电阻降低的原因是在整个发射极电极上均匀注入电流，而不是沿着OFET源极边缘的小区域注入电流。
Organic permeable‐base transistors (OPBTs) show potential for high‐speed, flexible electronics. Scaling laws of OPBTs are discussed and it is shown that OPBT performance can be increased by reducing their effective device area. Comparing the performance of optimized OPBTs with state‐of‐the‐art organic field‐effect transistors (OFETs), it is shown that OPBTs have a higher potential for an increased transit frequency. Not only do OPBTs reach higher transconductance values without the need for sophisticated structuring techniques, but they are also less sensitive to parasitic contact resistances. With the help of a 2D numerical model, the reduced contact resistances of OPBTs are explained by a homogeneous injection of current across the entire emitter electrode, compared to injection in a small area along the edge of the source of OFETs.
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影响因子：
4.6
作者：
Kheradmand-Boroujeni B;Klinger MP;Fischer A;Kleemann H;Leo K;Ellinger F
通讯作者：
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Luessem, Bjoern
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Klinger MP;Fischer A;Kaschura F;Widmer J;Kheradmand-Boroujeni B;Ellinger F;Leo K
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