Humble planar defects in SiGe nanopillars
Humble planar defects in SiGe nanopillars
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SiGe 纳米柱中的微小平面缺陷
DOI：
10.1103/physrevb.106.054114
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发表时间：
2022
影响因子：
3.7
通讯作者：
Garfunkel, Eric
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang, Hongbin;Ren, Shang;Singh, Sobhit;Turner, Emily M.;Jones, Kevin S.;Batson, Philip E.;Vanderbilt, David;Garfunkel, Eric
我们报道了在SiGe纳米柱中发现的{001}面缺陷。的缺陷结构，由原子分辨率电子显微镜测定，符合为金刚石提出的Humble缺陷模型。我们还调查了几种可能的变体的Humble结构，使用第一性原理计算，并发现一个最低的能量是在协议的扫描透射电子显微镜图像。用电子能量损失谱分析了柱的成分，揭示了缺陷的形成机理。我们的研究结果表明，在纳米结构的IV族半导体的缺陷的结构和形成过程可以从他们的散装对应不同。
We report a {001} planar defect found in SiGe nanopillars. The defect structure, determined by atomic-resolution electron microscopy, matches the Humble defect model proposed for diamond. We also investigate several possible variants of the Humble structure using first-principles calculations and find that the one lowest in energy is in agreement with the scanning transmission electron microscope images. The pillar composition has been analyzed with electron energy loss spectroscopy, which hints at how the defect is formed. Our results show that the structure and formation process of defects in nanostructured group IV semiconductors can be different from their bulk counterparts.
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影响因子：
1.2
作者：
A. R. Lang
通讯作者：
A. R. Lang
Si 中的平面间隙聚集体
DOI：
10.1088/0953-8984/14/48/324
发表时间：
2002
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
J. Goss;T. Eberlein;R. Jones;N. Pinho;A. Blumenau;T. Frauenheim;P. Briddon;S. Öberg
通讯作者：
S. Öberg
DOI：
10.1098/rspa.1982.0059
发表时间：
1982
期刊：
Proceedings of the Royal Society of London. A. Mathematical and Physical Sciences
影响因子：
--
作者：
P. Humble
通讯作者：
P. Humble
影响因子：
10.8
作者：
Fadaly EMT;Marzegalli A;Ren Y;Sun L;Dijkstra A;de Matteis D;Scalise E;Sarikov A;De Luca M;Rurali R;Zardo I;Haverkort JEM;Botti S;Miglio L;Bakkers EPAM;Verheijen MA
通讯作者：
Verheijen MA
氘核辐照在锗{001}面上形成新的稳定缺陷结构
影响因子：
1.2
作者：
S. Muto;S. Takeda
通讯作者：
S. Takeda