Characterization and Compact Modeling of Self-Aligned Short-Channel Organic Transistors
Characterization and Compact Modeling of Self-Aligned Short-Channel Organic Transistors
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自对准短沟道有机晶体管的表征和紧凑建模
DOI：
10.1109/ted.2018.2867364
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发表时间：
2018
影响因子：
3.1
通讯作者：
B. Stadlober
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Torres-Miranda;A. Petritz;E. Karner-Petritz;C. Prietl;E. Sauter;M. Zharnikov;H. Gold;B. Stadlober
在本文中，我们介绍了通过光刻以及源极和漏极触点与栅极的自对准制造的小型柔性有机薄膜晶体管的表征和建模。基于薄膜晶体管 (TFT) 统一模型和提取方法的 SPICE 模型是针对亚阈值区域高精度定制的，以便包含两个半经验参数（即有效迁移率和起始电压）的沟道长度依赖性。此外，我们还演示了驼峰效应的建模，驼峰效应是通过光刻方法制造的 TFT 中经常出现的现象。
In this paper, we present the characterization and modeling of downscaled flexible organic thin-film transistors fabricated by photolithography and self-alignment of the source and drain contacts to the gate. A SPICE model based on the unified model and extraction method for thin-film transistors (TFTs) is tailored with high accuracy for the subthreshold regime in order to include the channel length dependence of two semiempirical parameters, viz., the effective mobility and the onset voltage. In addition, we demonstrate the modeling of the hump effect, a phenomenon often present in TFTs fabricated by lithographic methods.
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