Bi-enhanced N incorporation in GaAsNBi alloys
Bi-enhanced N incorporation in GaAsNBi alloys
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GaAsNBi 合金中的双增强 N 掺入
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Goldman
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Occena;T. Jen;E. Rizzi;T. M. Johnson;J. Horwath;Y. Wang;R. Goldman
我们研究了 GaAs1-x-yNxBiy 合金分子束外延过程中铋 (Bi) 和氮 (N) 通量对 N 和 Bi 掺入的影响。发现 Bi 的掺入与 N 通量无关，而 N 掺入总量和占据非取代晶格位点的 N 原子比例随着 Bi 通量的增加而增加。沿[100]、[110]和[111]方向的通道核反应分析与蒙特卡罗分子动力学模拟的比较表明，非取代的N主要以(N-As)As间隙配合物的形式结合。我们讨论了 Bi 吸附原子对砷封端的 [110] 取向阶梯边缘形成的影响，以及通过形成额外的 (N-As)As 所导致的总 N 掺入的增强。
We have examined the influence of bismuth (Bi) and nitrogen (N) fluxes on N and Bi incorporation during molecular-beam epitaxy of GaAs1-x-yNxBiy alloys. The incorporation of Bi is found to be independent of N flux, while the total N incorporation and the fraction of N atoms occupying non-substitutional lattice sites increase with increasing Bi flux. A comparison of channeling nuclear reaction analysis along the [100], [110], and [111] directions with Monte Carlo-Molecular Dynamics simulations indicates that the non-substitutional N primarily incorporate as (N-As)As interstitial complexes. We discuss the influence of Bi adatoms on the formation of arsenic-terminated [110]-oriented step-edges and the resulting enhancement in total N incorporation via the formation of additional (N-As)As.
GaSb 中的 N 掺入和相关的局部振动模式
影响因子：
3.7
作者：
Buckeridge J
通讯作者：
Buckeridge J
影响因子：
1.8
作者：
Bushell, Z. L.;Ludewig, P.;Volz, K.
通讯作者：
Volz, K.