N incorporation and associated localized vibrational modes in GaSb
N incorporation and associated localized vibrational modes in GaSb
复制标题
GaSb 中的 N 掺入和相关的局部振动模式
DOI：
10.1103/physrevb.89.014107
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发表时间：
2014
影响因子：
3.7
通讯作者：
Buckeridge J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Buckeridge J
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GaAs1-xNx 中电子有效质量的氮成分依赖性
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Dannecker;Y. Jin;H. Cheng;C. F. Gorman;J. Buckeridge;C. Uher;S. Fahy;Ç. Kurdak;R. Goldman
通讯作者：
R. Goldman
GaAs 中替代碳杂质位置的直接证据
DOI：
--
发表时间：
1982
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Theis;K. Bajaj;C. Litton;W. Spitzer
通讯作者：
W. Spitzer
分子束外延生长的 GaNxAs1−x 超晶格的结构和成分特性的光谱评估
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Barker;R. S. Williams;C. Mulcahy;M. Steer;M. Hopkinson;M. Ashwin;R. Newman;P. Stavrinou;G. Parry;T. Jones
通讯作者：
T. Jones
GaSb/AlSb(001)超晶格振动模式的研究
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Berdekas
通讯作者：
D. Berdekas
影响因子：
4
作者：
D. Young;J. Geisz;T. Coutts
通讯作者：
D. Young;J. Geisz;T. Coutts