Simultaneous formation of ohmic contacts for both n- and p-type 4H-SiC using NiAl-based contact materials
Simultaneous formation of ohmic contacts for both n- and p-type 4H-SiC using NiAl-based contact materials
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使用 NiAl 基接触材料同时形成 n 型和 p 型 4H-SiC 欧姆接触
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masanori Murakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Tsukimoto;T.Onishi;K.Ito;Masanori Murakami
注入 P 型区域上 4H 和 6H-SiC MOSFET 中反转层和积累层电子传输的表征
影响因子：
3.1
作者：
V. Vathulya;M. White
通讯作者：
M. White
影响因子：
2.1
作者：
S. Tsukimoto;T. Sakai;T. Onishi;Kazuhiro Ito;M. Murakami
通讯作者：
S. Tsukimoto;T. Sakai;T. Onishi;Kazuhiro Ito;M. Murakami
影响因子：
2.1
作者：
Tsukimoto, S;Nitta, K;Murakami, M
通讯作者：
Murakami, M