The measured positive and negative magnetoresistance for n-type germanium at room temperature
The measured positive and negative magnetoresistance for n-type germanium at room temperature
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室温下n型锗的正负磁阻测量
DOI：
10.1088/1361-6463/aa8b97
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发表时间：
2017-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jifan Hu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bin Cheng;Hongwei Qin;Jifan Hu
研究了室温下直列四端子法的n型锗片磁阻（MR）。明显地，观察到测量的 MR 作为施加电流和电压端子间隔的函数的变化。随着施加电流的进一步增加，测量的MR首先增加，在一定电流处达到峰值，然后最终减小。测量的 MR 随着电压端子间距值的增加而增加。这项研究最重要的成果是观察到最小电压端子间距为 2 µm 的负 MR，并且可以通过磁场实现测量的 MR 的符号变化。这些有趣的结果可能会为未来的磁电子设备带来另一种方法。
Magnetoresistance (MR) for n-type germanium wafers by in-line-four-terminal method at room temperature are explored. Conspicuously, the variation of the measured MR as a function of applied current and voltage-terminal separation is observed. With a further increase of applied current, the measured MR initially increases, passes through a peak value at a certain current and then finally decreases. The measured MR increases with an increase of the value of voltage-terminal separation. The most important outcome of this study is the observation of negative MR for the smallest voltage-terminal separation of 2 µm, and the sign change of the measured MR can be achieved by magnetic fields. These interesting results may lead to an alternative approach to future magneto-electronic devices.
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