Large positive magnetoresistance in germanium
Large positive magnetoresistance in germanium
复制标题
锗的大正磁阻
DOI：
10.1063/1.4896173
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发表时间：
2014-09
影响因子：
3.2
通讯作者：
Hong-Guang Piao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiaojiao Chen;Xiaozhong Zhang;Zhaochu Luo;Jimin Wang;Hong-Guang Piao
在In/Ge/In结构中观察到了较大的正磁阻效应。由于空间电荷效应，该结构的电流-电压特性呈现出非线性行为(在较高电压下甚至击穿)。人们发现，那个大个子
A large positive magnetoresistance (MR) effect is observed in In/Ge/In structures. The current–voltage characteristics of the structure show a nonlinear behavior (even breakdown at higher voltages), caused by the space-charge effect. It is found that larg
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作者：
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Koopmans, B.
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H. Takatsu;J. Ishikawa;S. Yonezawa;H. Yoshino;T. Shishidou;T. Oguchi;K. Murata;Y. Maeno
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H. Takatsu;J. Ishikawa;S. Yonezawa;H. Yoshino;T. Shishidou;T. Oguchi;K. Murata;Y. Maeno
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通讯作者：
Y. Liu;Lin Zhang;I. Bennion
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通讯作者：
C. Payling;P. Guimarães;L. Eaves;B. R. Snell;J. Portal;M. Forte-Poisson;C. Brylinski;G. Hill;M. Pate