28 nm UTBB FD-SOIプロセスにおけるデバイスシミュレーションによるのソフトエラー耐性の評価
28 nm UTBB FD-SOIプロセスにおけるデバイスシミュレーションによるのソフトエラー耐性の評価
复制标题
28 nm UTBB FD-SOI 工艺中通过器件仿真评估软错误容限
DOI:
--
复制
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
小林和淑
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
梅原成宏;張魁元;一二三潤;古田潤;小林和淑
登录
查看更多内容
影响因子:
3.9
作者:
Ballo, Andrea;Grasso, Alfio Dario;Palumbo, Gaetano
通讯作者:
Palumbo, Gaetano
DOI:
10.1109/tcsi.2020.3012504
发表时间:
2020
期刊:
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers
影响因子:
--
作者:
Hao;W. Tsai;Po;Po
通讯作者:
Po
DOI:
10.1109/tvlsi.2019.2897046
发表时间:
2019
影响因子:
2.8
作者:
Abdulqader Mahmoud;Mohammad Alhawari;B. Mohammad;H. Saleh;Mohammed Ismail
通讯作者:
Mohammed Ismail
DOI:
10.1109/lascas51355.2021.9459174
发表时间:
2021
期刊:
2021 IEEE 12th Latin America Symposium on Circuits and System (LASCAS)
影响因子:
--
作者:
Carlos A. Pinheiro;F. Olivera;A. Petraglia
通讯作者:
A. Petraglia
影响因子:
1.7
作者:
D. Puschini;J. Rodas;E. Beigné;M. Altieri;S. Lesecq
通讯作者:
S. Lesecq