WSe2 homojunctions and quantum dots created by patterned hydrogenation of epitaxial graphene substrates
WSe2 homojunctions and quantum dots created by patterned hydrogenation of epitaxial graphene substrates
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通过外延石墨烯基底图案化氢化产生的 WSe2 同质结和量子点
DOI：
10.1088/2053-1583/aaf58c
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发表时间：
2019-01
期刊：
影响因子：
5.5
通讯作者：
all M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Pan Yi;Foelsch Stefan;Lin Yu Chuan;Jariwala Bhakti;Robinson Joshua A;Nie Yifan;Cho Kyeongjae;Feenstra R;all M
使用 5 K 的扫描隧道显微镜 (STM) 研究在外延石墨烯上生长的 WSe2 层，外延石墨烯形成于 Si 端接的 SiC(0 0 0 1) 上。具体来说，采用部分氢化工艺在 SiC-石墨烯界面处插入氢。
Scanning tunneling microscopy (STM) at 5 K is used to study WSe2 layers grown on epitaxial graphene which is formed on Si-terminated SiC(0 0 0 1). Specifically, a partial hydrogenation process is applied to intercalate hydrogen at the SiC–graphene interfa
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影响因子：
3
作者：
Grimme, Stefan
通讯作者：
Grimme, Stefan
影响因子：
3.7
作者：
G. M. Rutter;N. Guisinger;Jason Crain;Emily A. A. Jarvis-Emily-A.-A.-Jarvis-2246516249;M. Stiles;Tianbo Li;P. First;J. Stroscio-J.-Stro
通讯作者：
G. M. Rutter;N. Guisinger;Jason Crain;Emily A. A. Jarvis-Emily-A.-A.-Jarvis-2246516249;M. Stiles;Tianbo Li;P. First;J. Stroscio-J.-Stro
影响因子：
4
作者：
Kang, Jun;Tongay, Sefaattin;Wu, Junqiao
通讯作者：
Wu, Junqiao
DOI：
10.1007/1-4020-8006-9_3
发表时间：
2013
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. Jia;Wei-sheng Yang;Q. Xue
通讯作者：
J. Jia;Wei-sheng Yang;Q. Xue
影响因子：
41.2
作者：
Emtsev, Konstantin V.;Bostwick, Aaron;Seyller, Thomas
通讯作者：
Seyller, Thomas