Transport through an impurity tunnel coupled to a Si/SiGe quantum dot
Transport through an impurity tunnel coupled to a Si/SiGe quantum dot
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通过与 Si/SiGe 量子点耦合的杂质隧道进行传输
DOI：
10.1063/1.4930909
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发表时间：
2015
影响因子：
4
通讯作者：
Coppersmith, S. N.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Foote, Ryan H.;Ward, Daniel R.;Prance, J. R.;Gamble, John King;Nielsen, Erik;Thorgrimsson, Brandur;Savage, D. E.;Saraiva, A. L.;Friesen, Mark;Coppersmith, S. N.
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影响因子：
38.3
作者：
Muhonen, Juha T.;Dehollain, Juan P.;Morello, Andrea
通讯作者：
Morello, Andrea
影响因子：
4
作者：
Simmons, C. B.;Thalakulam, Madhu;Eriksson, M. A.
通讯作者：
Eriksson, M. A.
影响因子：
38.3
作者：
Kawakami, E.;Scarlino, P.;Vandersypen, L. M. K.
通讯作者：
Vandersypen, L. M. K.
单原子装置的无创空间计量。
影响因子：
10.8
作者：
F. Mohiyaddin;R. Rahman;R. Kalra;Gerhard Klimeck;L. Hollenberg;J. Pla;A. Dzurak;A. Morello
通讯作者：
A. Morello
双量子点中电子自旋-核自旋耦合动力学
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y.Kondo;K.Kimura;M.Yamamoto;K.Ono;S.Tarucha
通讯作者：
S.Tarucha