Origins of electrostatic potential wells at dislocations in polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 thin films
Origins of electrostatic potential wells at dislocations in polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 thin films
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多晶 Cu(In,Ga)Se2 薄膜位错静电势阱的起源
DOI：
10.1063/1.4867398
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发表时间：
2014
影响因子：
3.2
通讯作者：
C. Boit
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Dietrich;D. Abou-Ras;S. S. Schmidt;T. Rissom;T. Unold;O. Cojocaru-Miredin;T. Niermann;M. Lehmann;C. T. Koch;C. Boit
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