Peculiarities of the hydrogenated In(AsN) alloy
Peculiarities of the hydrogenated In(AsN) alloy
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氢化In(AsN)合金的特性
DOI：
10.1088/0268-1242/30/10/105030
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发表时间：
2015
影响因子：
1.9
通讯作者：
Birindelli S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Birindelli S
用光致发光方法研究了生长后的In（AsN）样品在氢原子辐照前后的电子性质。电子密度的增加，在（AsN），但不是在N-免费的InAs，直到费米稳定的能量建立。一个低于导带最小值的氢的+/−跃迁能级解释了施主形成对N的依赖性，这与最近的一份理论报告一致，该报告强调了III-V族化合物中InAs的特殊性。拉曼散射测量表明，在高达1500 K的热退火下，形成了稳定的N-H复合物。最后，氢不会钝化N的电子活性，从而使In（AsN）的带隙能量保持不变，再次与其他稀氮化物合金中报道的形成鲜明对比。
The electronic properties of In (AsN) before and after post-growth sample irradiation with increasing doses of atomic hydrogen have been investigated by photoluminescence. The electron density increases in In (AsN) but not in N-free InAs, until a Fermi stabilization energy is established. A hydrogen epsilon+/− transition level just below the conduction band minimum accounts for the dependence of donor formation on N, in agreement with a recent theoretical report highlighting the peculiarity of InAs among III–V compounds. Raman scattering measurements indicate the formation of N–H complexes that are stable under thermal annealing up to∼ 500 K. Finally, hydrogen does not passivate the electronic activity of N, thus leaving the band gap energy of In (AsN) unchanged, once more in stark contrast to what has been reported in other dilute nitride alloys.
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