Formation of GaN films by Ga ion direct deposition under nitrogen radical atmosphere
Formation of GaN films by Ga ion direct deposition under nitrogen radical atmosphere
复制标题
氮自由基气氛下Ga离子直接沉积形成GaN薄膜
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Masaya Toda 他
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Masaya Toda 他
N2 与 (100) W 的相互作用
影响因子：
1.9
作者：
L. R. Clavenna;L. Schmidt
通讯作者：
L. Schmidt
Ga低能聚焦离子束和二甲肼对GaN进行无掩模选择性外延
影响因子：
1.4
作者：
D. H. Cho;M. Tanaka;K. Pak
通讯作者：
K. Pak
使用氮气通过热钨丝对 GaAs 表面进行氮化
影响因子：
4
作者：
T. Makimoto;N. Kobayashi
通讯作者：
N. Kobayashi