Enhanced electronic-transport modulation in single-crystalline VO(2) nanowire-based solid-state field-effect transistors.
Enhanced electronic-transport modulation in single-crystalline VO(2) nanowire-based solid-state field-effect transistors.
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DOI：
10.1038/s41598-017-17468-x
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发表时间：
2017-12-08
影响因子：
4.6
通讯作者：
Tanaka H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wei T;Kanki T;Chikanari M;Uemura T;Sekitani T;Tanaka H
利用具有电子相变的相关电子材料的场效应晶体管为实现陡坡开关、克服器件尺寸限制和研究基础科学开辟了新的途径。在这里，我们提出了一个新的发现，在相关电子材料中，即通过混合栅极的VO2纳米线通道中，通过在金属-绝缘体转变温度附近施加栅极偏置，可以提高电阻调制效率，同时扩大绝缘矩阵中的金属纳米畴。我们的研究结果通过载流子调谐对相关材料中金属畴和绝缘畴共存状态的固有能力进行了理解，并为进一步研究相关材料及其器件的发展提供了有价值的参考。
Field-effect transistors using correlated electron materials with an electronic phase transition pave a new avenue to realize steep slope switching, to overcome device size limitations and to investigate fundamental science. Here, we present a new finding in gate-bias-induced electronic transport switching in a correlated electron material, i.e., a VO2 nanowire channel through a hybrid gate, which showed an enhancement in the resistive modulation efficiency accompanied by expansion of metallic nano-domains in an insulating matrix by applying gate biases near the metal-insulator transition temperature. Our results offer an understanding of the innate ability of coexistence state of metallic and insulating domains in correlated materials through carrier tuning and serve as a valuable reference for further research into the development of correlated materials and their devices.
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影响因子：
4.6
作者：
Eyvazov, A. B.;Inoue, I. H.;Stoliar, P.;Rozenberg, M. J.;Panagopoulos, C.
通讯作者：
Panagopoulos, C.
影响因子：
56.9
作者：
Jeong, Jaewoo;Aetukuri, Nagaphani;Parkin, Stuart S. P.
通讯作者：
Parkin, Stuart S. P.
影响因子：
3.2
作者：
Ruzmetov, Dmitry;Gopalakrishnan, Gokul;Ramanathan, Shriram
通讯作者：
Ramanathan, Shriram
影响因子：
4
作者：
ARNOLD, E
通讯作者：
ARNOLD, E
影响因子：
1.5
作者：
Belyaev, Maksim A.;Putrolaynen, Vadim V.;Pergament, Alexander L.
通讯作者：
Pergament, Alexander L.