Impact of artificial lateral quantum confinement on exciton-spin relaxation in a two-dimensional GaAs electronic system
Impact of artificial lateral quantum confinement on exciton-spin relaxation in a two-dimensional GaAs electronic system
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人工横向量子限制对二维 GaAs 电子系统中激子自旋弛豫的影响
DOI：
10.1063/1.4897958
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
S. Samukawa and A. Murayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Kiba;T. Tanaka;Y. Tamura;A. Higo;C. Thomas;S. Samukawa and A. Murayama
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影响因子：
1.5
作者：
A. Tackeuchi;T. Kuroda;ShunichiMuto Nishikawa;OsamuWada OsamuWada-OsamuWada
通讯作者：
A. Tackeuchi;T. Kuroda;ShunichiMuto Nishikawa;OsamuWada OsamuWada-OsamuWada
使用生物模板和中性束蚀刻制造 7 nm GaAs 纳米盘二维阵列的无损伤自上而下工艺
影响因子：
3.5
作者：
Xuan;Chi;R. Tsukamoto;P. Mortemousque;K. Itoh;Y. Ohno;S. Samukawa
通讯作者：
S. Samukawa
CdSe自组装量子点与Zn_0.80Mn_0.20Se稀释磁性半导体层耦合的激子自旋注入、转移和弛豫动力学
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Physical Review B 75
影响因子：
--
作者：
A. Murayama;T. Furuta;他6名
通讯作者：
他6名
InAs/GaAs 量子点中动态核极化的温度依赖性及其对电子自旋弛豫和相移的影响
影响因子：
4
作者：
J. Beyer;Y. Puttisong;I. Buyanova;S. Suraprapapich;C. Tu;Weimin M. Chen
通讯作者：
Weimin M. Chen
从稀释磁性半导体 ZaMnSe 到 CdSe 非磁性量子点的光学自旋注入和自旋损失效率
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Physical Review B 77
影响因子：
--
作者：
W. M. Chen;I. A. Buyanova;A. Murayama;他5名;J. H. Park;A. Murayama;K. Saito;D. Dagnelund;J. H. Park;A. A. Toropov;D. Dagnelund;D. Dagnelund
通讯作者：
D. Dagnelund