Damage-free top-down processes for fabricating two-dimensional arrays of 7 nm GaAs nanodiscs using bio-templates and neutral beam etching
Damage-free top-down processes for fabricating two-dimensional arrays of 7 nm GaAs nanodiscs using bio-templates and neutral beam etching
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使用生物模板和中性束蚀刻制造 7 nm GaAs 纳米盘二维阵列的无损伤自上而下工艺
DOI：
10.1088/0957-4484/22/36/365301
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
S. Samukawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xuan;Chi;R. Tsukamoto;P. Mortemousque;K. Itoh;Y. Ohno;S. Samukawa
通过使用铁蛋白（一种包括7 nm直径铁核的蛋白质）生物模板和中性束蚀刻，开发了用于7 nm GaAs纳米盘的二维阵列的第一个无损伤自上而下的制造工艺。中性束刻蚀GaAs的光致发光表明，该工艺可以实现GaAs的无缺陷刻蚀。在生物模板工艺中，为了去除铁蛋白蛋白质外壳而不对GaAs造成热损伤，我们首先开发了280 °C低温氧自由基处理方法。然后，使用铁芯作为蚀刻掩模，中性束蚀刻GaAs的无缺陷纳米盘结构。结果，成功地制造了直径为1.7 nm，高度为1.10 nm，高锥角为88°，量子点密度超过7 × 1011 cm − 2的GaAs量子点二维阵列，而不会对GaAs造成任何损伤。
The first damage-free top-down fabrication processes for a two-dimensional array of 7 nm GaAs nanodiscs was developed by using ferritin (a protein which includes a 7 nm diameter iron core) bio-templates and neutral beam etching. The photoluminescence of GaAs etched with a neutral beam clearly revealed that the processes could accomplish defect-free etching for GaAs. In the bio-template process, to remove the ferritin protein shell without thermal damage to the GaAs, we firstly developed an oxygen-radical treatment method with a low temperature of 280 °C. Then, the neutral beam etched the defect-free nanodisc structure of the GaAs using the iron core as an etching mask. As a result, a two-dimensional array of GaAs quantum dots with a diameter of ∼ 7 nm, a height of ∼ 10 nm, a high taper angle of 88° and a quantum dot density of more than 7 × 1011 cm − 2 was successfully fabricated without causing any damage to the GaAs.
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DOI：
10.1016/j.physe.2009.12.036
发表时间：
2010-09
影响因子：
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R. Oshima;A. Takata;Y. Shoji;K. Akahane;Y. Okada
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S.Samukawa
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通讯作者：
and S. Samukawa