Anomalously anisotropic channel mobility on trench sidewalls in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistors fabricated on 8° off substrates
Anomalously anisotropic channel mobility on trench sidewalls in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistors fabricated on 8° off substrates
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在 8° 偏离衬底上制造的 4H-SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管中沟槽侧壁上的异常各向异性沟道迁移率
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Yano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Hayashibe;N.Suzuki;N.Nakata;A.Hattori;K.Konishi;M.Hashizume;奥井登志子;井上昌睦 他;K.Koyanagi et al.;M.Inoue et al.;S.Koyanagi et al.;Hiroyuki Naoi;H.Yano
影响因子：
4.9
作者：
Yoon, JB;Kim, BK;Kim, CK
通讯作者：
Kim, CK
经过 N 2 O 氧化处理的 4H-SiC{0001} 和非基面的 MOS 界面特性和 MOSFET 性能
DOI：
10.1557/proc-815-j8.2
发表时间：
2004
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
T. Kimoto;Y. Kanzaki;M. Noborio;H. Kawano;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami