Analytical Description of Intravalley Acoustic Phonon Limited Electron Mobility in an Ultra-thin Si Plate Incorporating Phonon Modulation due to Plate Interfaces

Analytical Description of Intravalley Acoustic Phonon Limited Electron Mobility in an Ultra-thin Si Plate Incorporating Phonon Modulation due to Plate Interfaces
复制标题

结合板界面声子调制的超薄硅板中谷内声学声子有限电子迁移率的分析描述

DOI:
--
复制
发表时间:
2007
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics 46
影响因子:
--
通讯作者:
Shigeyasu Uno
Shigeyasu Uno
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Shigeyasu Uno

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

硅纳米层中的声声子限制:对电子迁移率的影响
DOI: 10.1063/1.2208849
发表时间: 2006
影响因子: 3.2
作者:
L. Donetti;F. Gámiz;J. Roldán;A. Godoy
通讯作者: A. Godoy
DOI: 10.1063/1.362953
发表时间: 1996-08
影响因子: 3.2
作者:
S. Takagi;J. Hoyt;J. Welser;J. Gibbons
通讯作者: S. Takagi;J. Hoyt;J. Welser;J. Gibbons
半空间中的声子
DOI: --
发表时间: 1971
期刊:
影响因子: --
作者:
H. Ezawa
通讯作者: H. Ezawa
超薄 SOI 薄膜中的子带调制增强了 SOI MOSFET 的迁移率
DOI: 10.7567/ssdm.1997.b-6-1
发表时间: 1997
影响因子: 1.5
作者:
S. Takagi;J. Koga;A. Toriumi
通讯作者: A. Toriumi
DOI: --
发表时间: 2000
期刊:
影响因子: --
作者:
S. Komirenko;K. W. Kim;A. A. Demidenko;V. Kochelap;M. Stroscio
通讯作者: M. Stroscio