Compact Double-Gate MOSFET Model Correctly Predicting Volume-Inversion Effects
Compact Double-Gate MOSFET Model Correctly Predicting Volume-Inversion Effects
复制标题
紧凑型双栅极 MOSFET 模型正确预测体积反转效应
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
貞近倫夫
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
若林里衣;他.;貞近倫夫
基于 PSP 的紧凑型 FinFET 模型描述直流和射频测量
DOI：
10.1109/iedm.2006.346990
发表时间：
2006
期刊：
2006 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
G. Smit;A. Scholten;N. Serra;R. Pijper;R. Van Langevelde;A. Mercha;G. Gildenblat;D. Klaassen
通讯作者：
D. Klaassen
双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的抑制短沟道效应及其建模
影响因子：
1.5
作者：
H. Oka;R. Tanabe;N. Sadachika;A. Yumisaki;M. Miura
通讯作者：
M. Miura
K.Miyano；A.Mori：日本应用物理学杂志-。
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
通讯作者：
--