Quality of epitaxial InAs nanowires controlled by catalyst size in molecular beam epitaxy
Quality of epitaxial InAs nanowires controlled by catalyst size in molecular beam epitaxy
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分子束外延中催化剂尺寸控制外延 InAs 纳米线的质量
DOI：
10.1063/1.4818682
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发表时间：
2013-08
影响因子：
4
通讯作者：
Zou, Jin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Zhi;Lu, Zhen-Yu;Chen, Ping-Ping;Xu, Hong-Yi;Guo, Ya-Nan;Liao, Zhi-Ming;Shi, Sui-Xing;Lu, Wei;Zou, Jin
本文研究了分子束外延生长的Au催化InAs纳米线的结构质量。通过详细的电子显微镜表征和对二元Au-In相图的分析，发现高浓度的较小的催化剂可以诱导出无缺陷的InAs纳米线，而含In较少的较大的催化剂可以诱导出缺陷的InAs纳米线。这项研究表明，在其他生长条件不变的情况下，InAs纳米线的结构质量可以由Au催化剂的尺寸来控制。
In this study, the structural quality of Au-catalyzed InAs nanowires grown by molecular beam epitaxy is investigated. Through detailed electron microscopy characterizations and analysis of binary Au-In phase diagram, it is found that defect-free InAs nanowires can be induced by smaller catalysts with a high In concentration, while comparatively larger catalysts containing less In induce defected InAs nanowires. This study indicates that the structural quality of InAs nanowires can be controlled by the size of Au catalysts when other growth conditions remain as constants.
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影响因子：
13.3
作者：
Paladugu, Mohanchand;Zou, Jin;Kim, Yong
通讯作者：
Kim, Yong
DOI：
10.1557/proc-0901-rb14-03
发表时间：
2005-08
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
H. D. Park;S. Prokes;R. Cammarata
通讯作者：
H. D. Park;S. Prokes;R. Cammarata
影响因子：
10.8
作者：
Kim, Y;Joyce, HJ;Suvorova, AA
通讯作者：
Suvorova, AA
影响因子：
4
作者：
Guoqiang Zhang;K. Tateno;H. Sanada;T. Tawara;H. Gotoh;H. Nakano
通讯作者：
Guoqiang Zhang;K. Tateno;H. Sanada;T. Tawara;H. Gotoh;H. Nakano
影响因子：
3.8
作者：
Hong-yi Xu;Yong Wang;Yanan Guo;Z. Liao;Q. Gao;N. Jiang;H. Tan;C. Jagadish;J. Zou
通讯作者：
Hong-yi Xu;Yong Wang;Yanan Guo;Z. Liao;Q. Gao;N. Jiang;H. Tan;C. Jagadish;J. Zou