Demonstration of ferroelectricity in ScGaN thin film using sputtering method
Demonstration of ferroelectricity in ScGaN thin film using sputtering method
复制标题
使用溅射方法演示 ScGaN 薄膜的铁电性
DOI：
10.1063/5.0068059
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
and Hiroshi Funakubo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Masato Uehara;Ryoichi Mizutani;Shinnosuke Yasuoka;Takahisa Shiraishi;Takao Shimizu;Hiroshi Yamada;Morito Akiyama;and Hiroshi Funakubo
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影响因子：
3.2
作者：
Siyuan Zhang;D. Holec;W. Fu;C. Humphreys;M. Moram
通讯作者：
Siyuan Zhang;D. Holec;W. Fu;C. Humphreys;M. Moram
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DOI：
10.1002/pssc.200983643
发表时间：
2010
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
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通讯作者：
K. Onabe
影响因子：
4
作者：
T. Mimura;Takao Shimizu;H. Uchida;O. Sakata;H. Funakubo
通讯作者：
T. Mimura;Takao Shimizu;H. Uchida;O. Sakata;H. Funakubo
基于 PZT 和 SBT 的非易失性铁电存储器科学技术的批判性比较综述
影响因子：
0.7
作者：
O. Auciello
通讯作者：
O. Auciello
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3.2
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通讯作者：
Funakubo, Hiroshi