Pulsed Source MOCVD of high-k dielectric thin films with in-situ monitoring by spectroscopic ellipsometry

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高 k 介电薄膜的脉冲源 MOCVD,通过光谱椭圆光度术进行原位监测

DOI:
--
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发表时间:
2003
期刊:
Journal of Applied Physics 42
影响因子:
--
通讯作者:
et al.
et al.
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Y.Tsuchiya;M.Endo;M.Kurosawa;R.T.Tung;T.Hattori;et al.

文献摘要

参考文献

被引文献

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