Electronic structure of single-crystalline graphene grown on Cu/Ni (111) alloy film
Electronic structure of single-crystalline graphene grown on Cu/Ni (111) alloy film
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Cu/Ni(111)合金薄膜上生长的单晶石墨烯的电子结构
DOI：
10.1088/1674-1056/28/8/086103
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发表时间：
2019-08
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Xiao-Ming Xie
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xue-Fu Zhang;Zhong-Hao Liu;Wan-Ling Liu;Xiang-Le Lu;Zhuo-Jun Li;Qing-Kai Yu;Da-Wei Shen;Xiao-Ming Xie
具有类狄拉克锥电子结构的石墨烯由于其新颖的输运性质和在未来电子器件中的潜在应用而被广泛研究。对于外延生长的石墨烯，工艺条件和微观结构强烈依赖于具有不同晶格常数和界面能的各种衬底材料。利用角分辨光电子能谱（angle-resolvedphotoemission spectroscopy，AES）研究了Cu/Ni（111）合金薄膜上化学气相沉积的单晶石墨烯的电子结构。在相对低的生长温度下，Cu/Ni（111）上的石墨烯表现出与Cu（111）上生长的石墨烯相当的狄拉克锥状分散。形成狄拉克锥的线性色散宽达2 eV，费米速度约为1.1×106 m/s。狄拉克锥在约304 meV的结合能下打开约152 meV的能隙。这一发现将促进石墨烯在不同基底材料上的工程化研究。
Graphene with a Dirac cone-like electronic structure has been extensively studied because of its novel transport properties and potential application for future electronic devices. For epitaxially grown graphene, the process conditions and the microstructures are strongly dependent on various substrate materials with different lattice constants and interface energies. Utilizing angle-resolved photoemission spectroscopy, here we report an investigation of the electronic structure of single-crystalline graphene grown on Cu/Ni (111) alloy film by chemical vapor deposition. With a relatively low growth temperature, graphene on Cu/Ni (111) exhibits a Dirac cone-like dispersion comparable to that of graphene grown on Cu (111). The linear dispersions forming Dirac cone are as wide as 2 eV, with the Fermi velocity of approximately 1.1×106 m/s. Dirac cone opens a gap of approximately 152 meV at the binding energy of approximately 304 meV. Our findings would promote the study of engineering of graphene on different substrate materials.
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影响因子：
2.1
作者：
A. Bostwick;T. Ohta;J. McChesney;T. Seyller;K. Horn;E. Rotenberg
通讯作者：
A. Bostwick;T. Ohta;J. McChesney;T. Seyller;K. Horn;E. Rotenberg
影响因子：
10.8
作者：
Meric, Inanc;Dean, Cory R.;Shepard, Kenneth L.
通讯作者：
Shepard, Kenneth L.
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Bae;Hyeong Keun Kim;Xianfang Xu;Jayakumar Balakrishnan;Tian;Lei;Young Il Song;Young Jin Kim-Young-J
通讯作者：
S. Bae;Hyeong Keun Kim;Xianfang Xu;Jayakumar Balakrishnan;Tian;Lei;Young Il Song;Young Jin Kim-Young-J
影响因子：
56.9
作者：
Lin, Y. -M.;Dimitrakopoulos, C.;Avouris, Ph.
通讯作者：
Avouris, Ph.
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
--
影响因子：
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作者：
Sang Han Park;Soonnam Kwon
通讯作者：
Sang Han Park;Soonnam Kwon