Modeling the effect of mechanical stress on bipolar degradation in 4H-SiC power devices
Modeling the effect of mechanical stress on bipolar degradation in 4H-SiC power devices
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模拟机械应力对 4H-SiC 功率器件双极退化的影响
DOI：
10.1063/5.0010648
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发表时间：
2020
影响因子：
3.2
通讯作者：
Izumi Satoshi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sakakima Hiroki;Goryu Akihiro;Kano Akira;Hatano Asuka;Hirohata Kenji;Izumi Satoshi
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10.1016/s1572-4859(96)80009-x
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期刊：
--
影响因子：
--
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通讯作者：
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2011
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--
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
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