A Superharmonic Injection based G-band Quadrature VCO in CMOS
A Superharmonic Injection based G-band Quadrature VCO in CMOS
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CMOS中基于超谐波注入的G波段正交VCO
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Xuan Ding, Hai Yu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xuan Ding, Hai Yu
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用于芯片间/芯片内通信的太赫兹互连
DOI：
10.1117/12.2518567
发表时间：
2019
期刊：
2018 IEEE 18th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF)
影响因子：
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作者：
Q. Gu;Bo Yu;Xuan Ding;Y. Ye;X. Liu;Zhiwei Xu
通讯作者：
Zhiwei Xu
A%2033%%20调谐%20range%20high%20output%20power%20V-band%20超谐波%20耦合%20正交%20VCO%20in%20SiGe%20技术
DOI：
10.1109/rfic.2012.6242286
发表时间：
2012
期刊：
2012 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium
影响因子：
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作者：
I. Nasr;M. Dudek;R. Weigel;D. Kissinger
通讯作者：
D. Kissinger
影响因子：
5.4
作者：
Han, Ruonan;Afshari, Ehsan
通讯作者：
Afshari, Ehsan
CMOS低相位噪声低正交误差$V$带分谐波注入锁定正交FLL的设计与分析
影响因子：
4.3
作者：
Hong;Chun;Shen;Han;Ian Yi;Gun Huang
通讯作者：
Gun Huang
采用 28 nm CMOS 封装、具有可调相位精度的 37.5–45 GHz 超谐波耦合 QVCO
影响因子：
5.4
作者：
Luya Zhang;N. Kuo;A. Niknejad
通讯作者：
A. Niknejad