Development of Cavity Structure for Field Emission on Si Substrate
Development of Cavity Structure for Field Emission on Si Substrate
复制标题
硅基片场致发射腔体结构的研制
DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
et al.
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Daiji Noda;et al.
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DOI:
10.1109/jproc.2002.1002526
发表时间:
2002
期刊:
Proc. IEEE
影响因子:
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作者:
S. Tominetti;M. Amiotti
通讯作者:
M. Amiotti
影响因子:
4
作者:
J. M. Macaulay;I. Brodie;C. Spindt;C. Holland
通讯作者:
C. Holland
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
The Japan Society of Applied Physics (The 66rd Fall meeting) No.2
影响因子:
--
作者:
Masanori Hatakeyama;Kazuaki Sawada;Daiji Noda;Hidekuni Takao;Kazuaki Sawada;Makoto Ishida
通讯作者:
Makoto Ishida
DOI:
10.1109/ivmc.1995.487000
发表时间:
1995
期刊:
IVMC '95. Eighth International Vacuum Microelectronics Conference. Technical Digest (Cat. No.TH8012)
影响因子:
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作者:
Shigeo Itoh;T. Niiyama;M. Taniguchi;Teruo Watanabe
通讯作者:
Teruo Watanabe