Development of Cavity Structure for Field Emission on Si Substrate

Development of Cavity Structure for Field Emission on Si Substrate
复制标题

硅基片场致发射腔体结构的研制

DOI:
--
复制
发表时间:
2007
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics 46(In printing)
影响因子:
--
通讯作者:
et al.
et al.
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Daiji Noda;et al.

文献摘要

参考文献

相似文献

用于平板显示器的吸气剂
DOI: 10.1109/jproc.2002.1002526
发表时间: 2002
期刊: Proc. IEEE
影响因子: --
作者:
S. Tominetti;M. Amiotti
通讯作者: M. Amiotti
DOI: 10.1063/1.107699
发表时间: 1992
影响因子: 4
作者:
J. M. Macaulay;I. Brodie;C. Spindt;C. Holland
通讯作者: C. Holland
局部真空封装蒸发型吸气剂的制作
DOI: --
发表时间: 2005
期刊: The Japan Society of Applied Physics (The 66rd Fall meeting) No.2
影响因子: --
作者:
Masanori Hatakeyama;Kazuaki Sawada;Daiji Noda;Hidekuni Takao;Kazuaki Sawada;Makoto Ishida
通讯作者: Makoto Ishida
一种新型场发射体阵列结构
DOI: 10.1109/ivmc.1995.487000
发表时间: 1995
期刊: IVMC '95. Eighth International Vacuum Microelectronics Conference. Technical Digest (Cat. No.TH8012)
影响因子: --
作者:
Shigeo Itoh;T. Niiyama;M. Taniguchi;Teruo Watanabe
通讯作者: Teruo Watanabe