Interfacial quality to control tunnelling magnetoresistance
Interfacial quality to control tunnelling magnetoresistance
复制标题
控制隧道磁阻的界面质量
DOI：
10.3389/fphy.2022.1007989
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发表时间：
2022
影响因子：
3.1
通讯作者：
Hirohata A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hirohata A
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影响因子：
4
作者：
T. Marukame
通讯作者：
T. Marukame
MgAl2O4(001)上外延Co50Fe50(110)/Pt(111)薄膜及其增强垂直磁各向异性
影响因子：
3.2
作者：
Aidan Lee;Adam S. Ahmed;S. Guo;B. Esser;D. McComb;Fengyuan Yang
通讯作者：
Fengyuan Yang
Co_2MnGe Heusler合金薄膜和MgO隧道势垒改善磁隧道结的隧道磁阻特性
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Journal of Applied Physics 101
影响因子：
--
作者：
〓 湘東;柴田弘紀;黒木俊秀;中原辰雄;橋本喜次郎;二宮英彰;岩田仲尾;尾崎紀夫;服巻保幸;Tomoya Nakatani;Takayuki Ishikawa;Takayuki Ishikawa;Takayuki Ishikawa;Tomoyuki Taira;Siham Ouardi;Tomoyuki Taira;Gerhard H. Fecher;Takayuki Ishikawa;Toshiaki Saito;Masafumi Yamamoto;Toshiaki Saito;Takao Marukame;Takao Marukame;Shinya Hakamata
通讯作者：
Shinya Hakamata
影响因子：
3.7
作者：
J. Schmalhorst;S. Kämmerer;M. Sacher;G. Reiss;A. Hütten;A. Scholl
通讯作者：
J. Schmalhorst;S. Kämmerer;M. Sacher;G. Reiss;A. Hütten;A. Scholl
Fe/Mg4Al-Ox/Fe(001) 磁隧道结中增强的隧道磁阻
影响因子：
4
作者：
T. Scheike;Z. Wen;H. Sukegawa;and S. Mitani
通讯作者：
and S. Mitani