HetCore: TFET-CMOS Hetero-Device Architecture for CPUs and GPUs
HetCore: TFET-CMOS Hetero-Device Architecture for CPUs and GPUs
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HetCore：适用于 CPU 和 GPU 的 TFET-CMOS 异质器件架构
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Torrellas, J.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gopireddy, B;Skarlatos, D;Zhu, W;Torrellas, J.
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隧道 FET，可将 VDD 调整至 0.6V 以下，并具有与 CMOS 相当的性能
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Asra;M. Shrivastava;K. Murali;R. Pandey;H. Gossner;V. Rao
通讯作者：
V. Rao
延迟敏感的 FMA 设计
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
IEEE Symposium on Computer Arithmetic
影响因子：
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作者：
Sameh Galal;M. Horowitz
通讯作者：
M. Horowitz
影响因子：
2.3
作者：
Avci, Uygar E.;Morris, Daniel H.;Young, Ian A.
通讯作者：
Young, Ian A.
具有混合 FinFET 逻辑风格的超低泄漏芯片多处理器设计
影响因子：
2.2
作者：
Xianmin Chen;N. Jha
通讯作者：
N. Jha
使用隧道 FET 的超低功耗电路设计
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI
影响因子：
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作者：
Ravindhiran Mukundrajan;M. Cotter;V. Saripalli;M. J. Irwin;S. Datta;N. Vijaykrishnan
通讯作者：
N. Vijaykrishnan