Voltage-induced modulation in the charge state of Si-vacancy defects in diamond using high voltage nanosecond pulses
Voltage-induced modulation in the charge state of Si-vacancy defects in diamond using high voltage nanosecond pulses
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使用高压纳秒脉冲对金刚石中硅空位缺陷的电荷状态进行电压感应调制
DOI：
10.1063/5.0066537
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Cronin, Stephen B.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Weng, Sizhe;Coleman, Christopher;Aravind, Indu;Wang, Yu;Zhao, Bofan;Cronin, Stephen B.
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