Layer dependence and gas molecule absorption property in MoS2 Schottky diode with asymmetric metal contacts.
Layer dependence and gas molecule absorption property in MoS2 Schottky diode with asymmetric metal contacts.
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DOI：
10.1038/srep10440
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发表时间：
2015-05-20
影响因子：
4.6
通讯作者：
Jun SC
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yoon HS;Joe HE;Jun Kim S;Lee HS;Im S;Min BK;Jun SC
表面电势测量揭示了高功函数金属电极与MoS2薄片之间形成的肖特基势垒的厚度依赖关系。采用单层MoS_2沟道和多层MoS_2沟道的肖特基二极管器件，分别采用钛和铂接触形成欧姆结和肖特基结。表征结果表明，MoS_2薄片具有n型行为，器件具有明显的整流性能。基于金属功函数和肖特基势垒高度的变化，我们还观察到了器件特性中的层依赖关系以及对NH3和NO2气体的不对称增强响应。
Surface potential measurement on atomically thin MoS2 flakes revealed the thickness dependence in Schottky barriers formed between high work function metal electrodes and MoS2 thin flakes. Schottky diode devices using mono- and multi- layer MoS2 channels were demonstrated by employing Ti and Pt contacts to form ohmic and Schottky junctions respectively. Characterization results indicated n-type behavior of the MoS2 thin flakes and the devices showed clear rectifying performance. We also observed the layer dependence in device characteristics and asymmetrically enhanced responses to NH3 and NO2 gases based on the metal work function and the Schottky barrier height change.
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